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三星取得成功流片了3nmGAA集成ic，功能损耗减少了50%，性能提升了约30%，但是是不是能量产或是尚需讲究。
全世界现阶段量产的最优秀工艺是5nm，tsmc2020年就需要量产3nm工艺，但是3nm连接点她们仍然挑选FinFET晶体管技术性，三星则挑选了GAA技术性，日前三星也取得成功流片了3nmGAA集成ic，迈开了重要一步。
在3nm连接点，三星较为激进派，立即挑选了下一代工艺技术性——GAA围绕栅压晶体管，根据应用纳米技术片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-ChannelFET，多桥-安全通道场效管），该技术性能够明显提高晶体管性能，关键替代FinFET晶体管技术性。
依据三星的叫法，与5nm生产制造工艺对比，3nmGAA技术性的逻辑性总面积高效率提升了35%之上，功能损耗减少了50%，性能提升了约30%。
三星早在2019年就发布了3nmGAA工艺的PDK物理学设计方案模块规范，此次3nm集成ic流片是跟Synopsys协作进行的，彼此协同认证了该工艺的设计方案、生产工艺流程，是3nmGAA工艺的里程碑式。
但是三星、Synopsys并沒有表露此次认证的3nmGAA集成ic的详细信息，官方网只说GAA构架改善了静电感应特点，提升了性能，减少了功能损耗。
3nmGAA工艺流片代表着该工艺量产又近了一步，但是最后的进展仍然不太好说，三星最开始说在2021年就能量产，之后延迟到2022年，可是从如今的状况看来，2020年tsmc3nm工艺量产时，三星的3nm也许还没有准备好，仍然要晚一些。
